168配资官网卖4亿的光刻机，DRAM大厂推迟引进

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来源：内容来自 Source：编译自thebell

三星电子和 SK 海力士将推迟引进 ASML 用于其 DRAM 曝光工艺的“高数值孔径 (NA) 极紫外 (EUV)”设备。这是由于天文数字般的设备价格和 DRAM 架构即将发生的变化。

三星电子和SK海力士计划在2030年后量产3D DRAM，3D DRAM曝光工艺计划采用氟化氩（ArF）设备，而非EUV设备。因此，High NA EUV设备的引入势必会给芯片制造商带来负担。

据业界15日透露，三星电子将抢先将HighNA EUV设备应用于晶圆代工。据悉，在DRAM工艺方面，他们正在考虑是否将其应用于10nm第7代DRAM（1d DRAM），或者用于量产垂直沟道晶体管（VCT）DRAM。

内存公司对引入High NA EUV持保守态度的原因在于未来的DRAM发展路线图。根据三星电子和SK海力士的DRAM路线图，内存架构将按照以下顺序变化：6F方形DRAM→4F方形DRAM→3D DRAM。

在此3D DRAM曝光工艺中，无需使用High NA EUV设备或低NA EUV设备。 3D DRAM 是一种像 NAND 一样垂直堆叠 DRAM 单元的内存概念。现有的DRAM是通过精细工艺来增加晶体管的数量，而3D DRAM则是通过垂直堆叠来扩大晶体管的数量。因此，曝光过程中使用的是 ArF 设备，而不是 EUV 设备。

这意味着168配资官网，即使引进价值超过4亿美元的最新设备，其用于量产尖端DRAM的时间也不会太长。不过，两家公司计划在 2020 年代末量产的 4F 方形 DRAM 似乎将采用高 NA EUV 设备。这种存储器的量产需要 EUV 工艺，三星电子称之为 VCT DRAM，SK 海力士称之为垂直栅极 (VG) DRAM。

SK海力士在High NA EUV的引入上也与三星电子采取了类似的立场。尤其是，据悉SK海力士在设备引进方面比三星电子更加谨慎，因为只有在内存工艺方面才必须使用High NA EUV设备。

一位熟悉三星电子下一代DRAM开发的内部人士表示，“据我们了解，三星电子已将3D DRAM开发完成日期从2030年推迟到2032-2033年”，并补充道，“由于3D DRAM具有全新的结构，因此相关的生态系统尚未建立。”他补充道，“现有的垂直沉积和蚀刻必须转换为水平，这是一个很大的技术难度”，“由于材料具有各向同性的特性，因此不容易控制”。

High NA EUV设备将首先在晶圆代工工艺中得到运用。不过，High NA EUV应用于量产预计还需要一段时间。 ASML预计High NA EUV设备要到2027年以后才会投入量产。

目前，已经从ASML获得High NA EUV设备的三家晶圆代工厂分别是英特尔、台积电和三星电子。所有这些设备都用于研发，而不是量产。

已经确认，三星电子正在开发一种工艺，其前提是代工 1.4nm 工艺将使用高 NA EUV 设备。三星电子的目标是在2027年实现1.4nm工艺的量产。因此，三星电子目前在NRD-K设置的High NA EUV设备“EXE:5000”也将主要用于研发目的。

台积电正在尽可能推迟使用High NA EUV设备。在最近的一次活动中，该公司宣布计划从衍生工艺 A14P 工艺开始使用High NA EUV 设备，而不是 A14（1.4 nm）。这与High NA EUV设备的价格不无关系。

https://www.thebell.co.kr/free/content/ArticleView.asp?key=202505151002225960108326

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